參數(shù)資料
型號(hào)： MJD127T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
中文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： MJD127T4
MJD122-1 / MJD122T4 / MJD127-1 / MJD127T4
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Switching Times Resistive Load (NPN type)
Switching Times Resistive Load (PNP type)
DC Current Gain (PNP type)
Base-Emitter On Voltage (NPN type)
DC Current Gain (NPN type)
Base-Emitter On Voltage (PNP type)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127-TP 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJD128 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
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