參數(shù)資料
型號: MJD29C
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
中文描述: 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商: MJD29C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
M
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Turn On Time
Figure 3. Turn Off Time
Figure 4. Safe Operating Area
Figure 5. Power Derating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
STG
t
F
, V
CC
=10V
t
F
, V
CC
=30V
I
C
=10I
B
t
F
,
S
,
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
D
, V
BE
(off)=2V
t
R
, V
CC
=10V
t
R
, V
CC
=30V
I
C
=10I
B
t
R
,
D
[
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
M
M
500
μ
s
100
μ
s
1ms
DC
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJD29CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD29TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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