參數(shù)資料
型號： MJD3055
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： MJD3055
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
t
μ
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.7
500
300
200
100
30
20
50
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
0.5
0.3
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 1. Power Derating
Figure 2. DC Current Gain
0.01
0.02
0.05
1
10
2
5
0.1
Figure 3. Turn–On Time
Figure 4. “On” Voltages, MJD3055
TJ = 25
°
C
tr
TJ = 150
°
C
–55
°
C
25
°
C
1
0.7
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 5. Turn–Off Time
0.2
1
6
0.6
2
0.06
0.4
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.1
0.2
0.3
1
10
2
5
0.5
3
h
VCE = 2 V
10
5
0.5
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
TC
TA
SURFACE
MOUNT
ts
1.4
0.8
0.6
0
1.2
1
0.4
0.2
TJ = 25
°
C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
0.05
0.03
0.02
0.1
0.07
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2 V
0.1
0.05
0.07
0.1
td @ VBE(off)
≈
5 V
0.2
1
6
0.6
2
0.06
0.4
4
0.1
t
μ
tf
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
MJD2955 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD3055 Complementary Power Transistors
MJD2955 Complementary Power Transistors
MJD2955-1 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
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MJD3055T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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