參數(shù)資料
型號(hào)： MJD3055
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Transistors
中文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 202K
代理商： MJD3055
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
VCEO(sus)
60
—
Vdc
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150 C)
Collector Cutoff Current
(VCB = 70 Vdc, IE = 0)
—
—
2
0.02
mAdc
(IC = 10 Adc, VCE = 4 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 4 Adc, IB = 0.4 Adc)
5
—
—
1.1
Vdc
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 500 kHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD2955 Complementary Power Transistors
MJD2955-1 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:12; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
MJD2955T4 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
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參數(shù)描述
MJD3055-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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