參數(shù)資料
型號(hào)： MJE13005
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Silicon NPN Switching Transistor(硅NPN開關(guān)晶體管)
中文描述： 硅NPN開關(guān)晶體管（硅npn型開關(guān)晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： MJE13005
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
1.67
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEV
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
Emitter Cut-off
Current (I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE
= 700V
V
CE
= 700V T
case
= 100
o
C
1
5
mA
mA
I
EBO
V
EB
= 9 V
1
mA
V
CEO(sus)
I
C
= 10 mA
400
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2 A I
B
= 0.5 A
I
C
= 4 A I
B
= 1 A
I
C
= 1 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 2 A I
B
= 0.5 A
0.5
0.6
1
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
1.2
1.6
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 1 A V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 5 V
10
8
30
60
40
V
t
on
t
s
t
f
Turn-on Time
Storage Time
Fall Time
I
C
= 2 A
I
B1
= -I
B2
= 0.4 A
V
CC
= 250 V
0.8
4
0.9
μ
s
μ
s
μ
s
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1.5 %
MJE13005
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PDF描述
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參數(shù)描述
MJE13005 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE13005_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS
MJE13005_08 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
MJE13005_12 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS
MJE13005B 制造商:WINGS 制造商全稱:Wing Shing Computer Components 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR(ELECTRONIC TRANSFORMERS , POWER SWICHING CIRCUIT)
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