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參數(shù)資料
| 型號： | MJE16106BC |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 45/65頁 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | MJE16106BC |
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MJE16106
3–700
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
+15
150
100
100
F
MTP8P10
MPF930
MUR105
MJE210
150
500
F
Voff
50
+10
MTP12N10
MTP8P10
RB1
RB2
A
1
F
1
F
Drive Circuit
*Tektronix AM503
*P6302 or Equivalent
Scope — Tektronix
7403 or Equivalent
T1 [
Lcoil (ICpk)
VCC
Note: Adjust Voff to obtain desired VBE(off) at Point A.
T1 adjusted to obtain IC(pk)
T1
+V
–V
0 V
A
*IB
*IC
L
T.U.T.
MR918
Vclamp
VCC
IC(pk)
VCE(pk)
VCE
IB
IC
IB1
IB2
VCEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 20 mA
Inductive Switching
L = 200
H
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
RBSOA
L = 200
H
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
Table 1. Inductive Load Switching
td and tr
ts and tf
H.P. 214
OR
EQUIV.
P.G.
50
RB = 8.5
*IB
*IC
T.U.T.
RL
VCC
Vin
0 V
≈ 11 V
tr ≤ 15 ns
*Tektronix AM503
*P6302 or Equivalent
VCC
250 Vdc
RL
25
IC
5 A
IB
0.5 A
+15
150
100
100
F
MTP8P10
MPF930
MUR105
MJE210
150
500
F
Voff
50
+10 V
MTP12N10
MTP8P10
RB1
RB2
A
1
F
1
F
T.U.T.
*IC
*IB
A
RL
VCC
V(off) adjusted
to give specified
off drive
VCC
250 V
IC
5 A
IB1
0.5 A
IB2
Per Spec
RB1
30
RB2
Per Spec
RL
25
Table 2. Resistive Load Switching
Figure 11. Definition of Dynamic Saturation
Measurement
t, TIME
IB1
VCE
90% IB1
VCE(dsat) = DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
AND IS MEASURED FROM THE 90% POINT OF
IB1 (t = 0) TO A MEASUREMENT POINT ON THE
TIME AXIS (t1, t2 or t3 etc.)
t1
t2
t3
t4
0
t5
t6
t7
t8
Figure 12. Dynamic Saturation Voltage
0
IB, BASE CURRENT (AMPS)
1
4
0.5
2.5
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
5
t = 1
s
12
1.5
0
3
2
MAXIMUM
TYPICAL
IC = 5 A
TJ = 25°C
t = 2
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE16106AU | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16106AK | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16106AN | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16106AS | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE16106BU | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE16204 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-220 |
| MJE170 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE170STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE171 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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