參數(shù)資料
型號： MJE16106BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 23/65頁
文件大小： 487K
代理商： MJE16106BD
MJE16106
3–698
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V
BE
,BASE–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.05
0.2
2
5
20
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
0.1
1
2
0.01
0.5
40
30
7
0.02
VCE = 5.0 V
TJ = 100°C
TJ = 25°C
TJ = – 55°C
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 2. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.5
3
0.2
0.03
0.07
1
0.1
0.05
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Region
.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
.07
.02
1
0.2
0.07
.03 .05
0.1
5
0.5
IC = 1 A
3 A
0.2
1
2
5 A
8 A
7 A
3
Figure 4. Base–Emitter Saturation Region
0.1
0.7
0.2
1.0
0.5
0.2
0.3
0.5
1
10
2.0
0.7
1.5
23
5
7
Figure 5. Capacitance
10K
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Cib
0.1
5K
2K
1K
500
200
100
50
20
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
500
300
3K
200
30
1000
TJ = 25°C
f = 1.0 kHz
10
5
3
0.3
2
0.7
0.5
3
25
0.7
1
0.1
0.2
10
IC/IB = 5
IC/IB = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC/IB = 10
IC/IB = 5
0.3
7
0.7
0.1
0.05
3
0.3
2
0.3
7K
700
70
0.3 0.5 0.7
7 10
Cob
TJ = 100°C
TJ = 25°C
TJ = 100°C
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
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PDF描述
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MJE16204DW 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE16204BU 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE170G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE170STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE171 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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