參數(shù)資料
型號(hào)： MJE16106BU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 34/65頁
文件大小： 487K
代理商： MJE16106BU
MJE16106
3–699
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
t c
,CROSSOVER
TIME
(ns)
,ST
ORAGE
TIME
(ns)
t sv
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Inductive Storage Time
20K
7K
5K
2K
200
500
IB2 = IB1
1K
3K
23
5
7
1.5
15
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
700
300
200
70
50
10
Figure 7. Crossover Time
30
1K
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Collector Current Fall Time
t fi
,F
ALL
TIME
(ns)
1 K
700
500
100
10
20
50
200
23
5
7
1.5
10
Figure 9. Inductive Switching Measurements
TIME
Figure 10. Peak Reverse Base Current
IC = 5.0 A
TJ = 25°C
2
0
48
10
6
10
8
4
2
6
I B2
,REVERSE
BASE
CURRENT
(AMPS)
VBE(off), REVERSE BASE VOLTAGE (VOLTS)
300
700
10K
23
5
7
1.5
15
10
500
100
20
30
70
300
IB1 = 1.0 A
1
7
5
3
13
7
9
5
0
9
t, TIME
VCE
90% IB1
tsv
IC(pk)
VCE(pk)
90% VCE(pk)
90% IC(pk)
tc
10% VCE(pk)
10%
IC(pk)
IC
IB
2% IC
trv
tfi
tti
IB2 = 2 (IB1)
VBE(off) = 2 V
VBE(off) = 5 V
IB2 = IB1
VBE(off) = 2 V
VBE(off) = 5 V
IB2 = 2 (IB1)
IB2 = IB1
VBE(off) = 2 V
VBE(off) = 5 V
IB2 = 2 (IB1)
IB1 = 1.0 A
TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS
IC/IB = 10, TC = 100°C, VCE(pk) = 250 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE16106BD 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE16106BS 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE16106BV 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE16106AF 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE16204DW 6 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE170 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE170G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE170STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE171 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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