參數(shù)資料
型號(hào)： MJE172
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Low Power Audio Amplifier Low Current, High Speed Switching Applications
中文描述： 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 54K
代理商： MJE172
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Junction-case Max
83.4
10
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= rated V
CBO
T
CASE =
150
C
0.1
0.1
μ
A
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EB
= 7 V
0.1
μ
A
I
C
= 10 mA
80
V
I
C
= 0.5 A I
B
= 50 mA
I
C
= 1.5 A I
B
= 0.15 A
I
C
= 3 A I
B
= 0.6 A
0.3
0.9
1.7
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter on
Voltage
I
C
= 1.5 A I
B
= 0.15 A
I
C
= 3 A I
B
= 0.6 A
1.5
2
V
V
BE
Base-Emitter on
Voltage
I
C
= 0.5 A V
CE
= 1 V
1.2
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 0.1 A V
CE
= 1 V
I
C
= 0.5 A V
CE
= 1 V
I
C
= 1.5 A V
CE
= 1 V
50
30
12
250
f
T
Transistor Frequency
I
C
= 0.1 A V
CE
= 10 V
f = 10 MHz
V
CB
= 10 V I
E
= 0 f = 0.1MHz
for
MJE172
for
MJE182
50
MHz
C
CBO
Collector-base
Capacitance
60
40
pF
pF
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
For PNP type voltage and current values are negative.
MJE172 - MJE182
2/4
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PDF描述
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