參數(shù)資料
型號(hào)： MJE210
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE LOW COLLECTOR-EMITTER)
中文描述： 進(jìn)步黨（集電極發(fā)射極維持電壓低集電極發(fā)射極）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： MJE210
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Junction-case Max
83.4
8.34
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= -40 V
V
CB
= -40 V T
CASE =
125
o
C
-100
-100
nA
μ
A
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
EB
= -8 V
-100
nA
V
CEO(sus)
I
C
= -10 mA
-25
V
V
CE(sat)
I
C
= -0.5 A I
B
= -50 mA
I
C
= -2 A I
B
= -0.2 A
I
C
= -5 A I
B
= -1 A
-0.3
-0.75
-1.8
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter on
Voltage
I
C
= -5 A I
B
= -1 A
-2.5
V
V
BE
Base-Emitter on
Voltage
I
C
=- 2 A V
CE
= -1 V
-1.6
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= -0.5 A V
CE
= -1 V
I
C
= -2 A V
CE
= -1 V
I
C
= -5 A V
CE
= -2 V
70
45
10
180
f
T
Transistor Frequency
I
C
= 0.1 A V
CE
= 10 V
f = 10 MHz
V
CB
= -10 V I
E
= 0 f = 0.1 MHz
65
MHz
C
CBO
Collector-base
Capacitance
120
pF
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5%
MJE210
2/4
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