參數(shù)資料
型號： MJE5851BS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 23/63頁
文件大?。?/td> 445K
代理商： MJE5851BS
MJE5850 MJE5851 MJE5852
3–646
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
I C
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(
nA
)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,C
OLLE
CT
OR–EMI
TT
ER
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.2
2.0
0.8
0
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2.0
0.3
0.7
5.0
10
3.0
Figure 2. Collector Saturation Region
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
0.02
0.05
1.2
0.4
0
100
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
0.1
0.2
0.5
10
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base–Emitter Voltage
Figure 5. Collector Cutoff Region
2.0
0.8
105
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
0
TJ = 150°C
20
0.5
2.0
– 0.4
Figure 6. Capacitance
3000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
0.1
104
103
102
101
+ 0.2
+ 0.1
100
°C
REVERSE
FORWARD
25
°C
VCE = 200 V
200
100
20
500 1000
1.6
0.4
TJ = 25°C
IC = 0.25 A
5.0
0.1
1.0
3.0
7.0
0.2
1.0
7.0
0.5
10
0.1
0.3
3.0
2.0
5.0
70
50
30
7.0
2000
1000
500
30
50
200
100
10
5.0
1.0
0.5
0.2
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
200
– 0.3
– 0.2
– 0.5
– 0.1
VCE = 5 V
1.0 A
1.0
2.0
5.0
1.6
IC/IB = 4
1.2
2.0
0.8
0
0.4
0.2
1.0
7.0
0.5
10
0.1
0.3
3.0
2.0
5.0
1.6
0.2
0.7
2.5 A
5.0 A
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
IC/IB = 4
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = 150°C
Cob
TJ = 25°C
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
MJE5852BS 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5850BG 8 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE5852 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5852_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
MJE5852G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 400V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE6040 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
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