參數(shù)資料
型號(hào)： MJE5852
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
中文描述： 高壓PNP功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： MJE5852
DIM.
mm
TYP.
1.27
16.4
inch
TYP.
0.050
0.645
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
P011C
TO-220 MECHANICAL DATA
MJE5852
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE5852 8 AMPERE PNP SILICON POWER TRANSISTORS 300- 350- 400 VOLTS 80 WATTS
MJE5852 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
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MJE803 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
MJE803 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY
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參數(shù)描述
MJE5852_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
MJE5852G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 400V 80W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE6040 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
MJE6041 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
MJE6043 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
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