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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE801 |
| 廠(chǎng)商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
| 中文描述： | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | MJE801 |
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, February 2001
M
Dimensions in Millimeters
3.25
±
0.20
8.00
±
0.30
3.20
±
0.10
0.75
±
0.10
#1
0.75
±
0.10
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
1.60
±
0.10
1
±
0
3
±
0
1
1
±
0
1
±
0
1.75
±
0.20
(0.50)
(1.00)
0.50
+0.10
–0.05
TO-126
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MK32VT1664A-8YC | 16777216 Word x 64 Bit Synchronous Dynamic RAM Module (1BANK)(16M字×64位同步動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| MK45T12B-12 | CMOS 2K x 8 TIMEKEEPER SRAM |
| MK45T12B-15 | CMOS 2K x 8 TIMEKEEPER SRAM |
| MK45T12B-20 | CMOS 2K x 8 TIMEKEEPER SRAM |
| MK45T12B-25 | CMOS 2K x 8 TIMEKEEPER SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE801STU | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE801T | 制造商:ISC 制造商全稱(chēng):Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| MJE802 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE802 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Darlington Bipolar Transistor 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V |
| MJE802_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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