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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MK10DN512ZVLK10R |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/71頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM CORTEX MCU 512KB 80LQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | Kinetis |
| 核心處理器： | ARM? Cortex?-M4 |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 連通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，IrDA，SDHC，SPI，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 56 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 512KB（512K x 8） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.71 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 37x16b，D/A 1x12b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 封裝/外殼： | 80-LQFP |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | MK10DN512ZVLK10RDKR |
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6.3.3.2 32 kHz oscillator frequency specifications
Table 19. 32 kHz oscillator frequency specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
fosc_lo
Oscillator crystal
—
32.768
—
kHz
tstart
Crystal start-up time
—
1000
—
ms
fec_extal32 Externally provided input clock frequency
—
32.768
—
kHz
vec_extal32 Externally provided input clock amplitude
700
—
VBAT
mV
1. Proper PC board layout procedures must be followed to achieve specifications.
2. This specification is for an externally supplied clock driven to EXTAL32 and does not apply to any other clock input. The
oscillator remains enabled and XTAL32 must be left unconnected.
3. The parameter specified is a peak-to-peak value and VIH and VIL specifications do not apply. The voltage of the applied
clock must be within the range of VSS to VBAT.
6.4 Memories and memory interfaces
6.4.1 Flash electrical specifications
This section describes the electrical characteristics of the flash memory module.
6.4.1.1 Flash timing specifications — program and erase
The following specifications represent the amount of time the internal charge pumps are
active and do not include command overhead.
Table 20. NVM program/erase timing specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
thvpgm4
Longword Program high-voltage time
—
7.5
18
μs
thversscr
Sector Erase high-voltage time
—
13
113
ms
thversblk256k Erase Block high-voltage time for 256 KB
—
416
3616
ms
1. Maximum time based on expectations at cycling end-of-life.
6.4.1.2 Flash timing specifications — commands
Table 21. Flash command timing specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
trd1blk256k
Read 1s Block execution time
256 KB program/data flash
—
1.7
ms
trd1sec2k
Read 1s Section execution time (flash sector)
—
60
μs
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Peripheral operating requirements and behaviors
K10 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 7, 02/2013.
Freescale Semiconductor, Inc.
31
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參數(shù)描述 |
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| MK10DN512ZVLQ10 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS CORTEX M4 512K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 處理器系列:STM32F373xx 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:256 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LQFP-48 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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| MK10DN512ZVMB10R | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MCU 32-Bit/64-Bit K10 ARM Cortex M4 RISC 512KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 81-Pin MAP-BGA T/R |
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