型號: | MMBD7000-13 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 0.3 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 74K |
代理商: | MMBD7000-13 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBR911LT1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2222ALT1 | |
MMBT2222LT1 | |
MMBT2907LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT4401LT1 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBD7000-7 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD7000-7-F | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) 75V 350mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
MMBD7000-E3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD7000-E3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ARRAY 100V 200MA SOT23 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
MMBD7000-E3-18 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD7000-E3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
MMBD7000G | 制造商:ZOWIE 制造商全稱:Zowie Technology Corporation 功能描述:Dual Switching Diode Lead free product |