- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296576 > MMBT2222LT1 (RECTRON LTD) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBT2222LT1 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 中文描述： | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 786K |
| 代理商： | MMBT2222LT1 |
RECTRON
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT2222LT1 )
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200 500
0.1 0.2 0.5
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0k
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 10.Temperature Coefficients
Figure 9."On" Voltages
+0.5
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
C
O
E
FF
IC
IE
N
T(
m
V
/O
C
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
,V
O
LT
A
G
E
(V
O
LT
S
)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20 30
50
70 100
0.1 0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50
REVERSE VOLTAGE(VOLTS)
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 7.Capacitances
Figure 8.Currunt-Gain Bandwidth Product
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
( P
F)
T,
C
U
R
E
N
T-
G
A
IN
B
A
N
D
W
ID
TH
P
R
O
D
U
C
T(
M
H
z)
50
70
300
500
100
200
N
T,
N
O
IS
E
FI
G
U
R
E
(d
B
)
6.0
10
8.0
0
4.0
2.0
30
50 100 200
500
1.0k 2.0k
5.0k
10k 20k 50k 100k
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100
f,FREQUENCY(KHz)
RS,SOURCE RESISTANCE(OHMS)
Figure 5.Frequency Effects
Figure 6.Source Resistance Effects
N
F,
N
O
IS
E
FI
G
U
R
E
(d
B
)
6.0
10
8.0
0
4.0
2.0
IC=1.0mA,RS=150
500Α,RS=200
100Α,RS=2.0K
50Α,RS=4.0K
RS=OPTIMUM
SOURCE
RESISTANCE
IC=50Α
100Α
500Α
1.0mΑ
f=1.0KHz
VCE=20V
TJ=25
OC
Ceb
CCb
TJ=25
OC
VBE(sat)@IC/IB=10
VBE(on)@VCE=10V
VCE(sat)@IC/IB=10
1.0V
RθVC for VCE(sat)
RθVB for VBE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2907LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4401LT1 | |
| MMBT5550LT1 | |
| MMBTA42LT1 | |
| MMBZ27VCL-13 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2222LT1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1_06 | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。