參數(shù)資料
型號： MMBT5550LT1
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 小信號晶體管
中文描述： 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： MMBT5550LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25OC unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
Chatacteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage(2) (IC= 1.0mAdc, IB=0)
Collector-Base Breakdown Voltage (IC= 100 Adc, IE= 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage (IE= 10 Adc, IC= 0)
Collector Cutoff Current (VCB= 100Vdc, IE= 0)
(VCB= 100Vdc, IE= 0, TA= 100
O
C)
DC Current Gain (IC= 1.0mAdc, VCE= 5.0Vdc)
(IC= 50mAdc, VCE= 5.0Vdc)
(IC= 10mAdc, VCE= 5.0Vdc)
V(BR)CEO
140
-
Vdc
V(BR)CBO
160
-
Vdc
V(BR)EBO
6.0
-
Vdc
ICBO
-
100
-
100
Emitter Cutoff Current (VEB= 4.0Vdc, IC= 0)
IEBO
-
50
nAdc
hFE
60
-
60
250
20
-
nAdc
Symbol
Min
Max
Unit
Vdc
VCE(sat)
-
0.15
-
0.25
Vdc
VBE(sat)
-
1.0
-
1.2
Base-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1.0mAdc)
(IC= 50mAdc, IB= 5.0mAdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC= 10mAdc, IB= 1.0mAdc)
(IC= 50mAdc, IB= 5.0mAdc)
NOTES: 2.Pluse Test : Pluse Width = 300
S, Duty Cycle = 2.0%.
Adc
RECTRON
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PDF描述
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