型號: | MMBT5550LT1 |
廠商: | RECTRON LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
中文描述: | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 106K |
代理商: | MMBT5550LT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBTA42LT1 | |
MMBZ27VCL-13 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
MMBZ5223B | 2.7 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMGGD1D0C | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 1.78mm, PANEL MOUNT |
MMGGF5P0L | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 1A, 30VDC, 0.61mm, THROUGH HOLE-RIGHT ANGLE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT5550LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT5550LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS HV XSTR NPN 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT5550NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
MMBT5551 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT5551 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,NPN,160V,0.6A,SOT23 |