參數(shù)資料
型號： MMBT6027
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
元件分類： 運動控制電子
英文描述： High-Speed, Single-Supply, Rail-to-Rail Operational Amplifiers MicroAmplifier(TM) Series 14-SOIC -40 to 85
中文描述： 硅可編程單結(jié)晶體管（放）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 15K
代理商： MMBT6027
Planeta
JSC Planeta, 2/13, Fedorovsky Ruchei, Veliky Novgorod, 173004, Russia
E l e c t r o n i c c o m p a n y
Ph/Fax:
+7 (81622) 3-17-36, 3-32-86
E-mail:
planeta@novgorod.net
http:
//www.planetasemi.com
MMBT6027
Silicon programmable unijunction transistor (PUT
′
s)
in package SOT-23
Ratings (T
A
= 25°C)
Parameter, units
Symbol
V
AK
V
GKF
V
GKR
V
GAR
I
T
I
TRM
Limits
±
40
40
-5
40
150
*Anode to cathode voltage, V
*Gate to cathode forward voltage, V
*Gate to cathode reverse voltage, V
*Gate to anode reverse voltage, V
*DC forward anode current, mA
Repetitive peak forward current, A
100
μ
s Pulse width, 1% duty cycle
*20
μ
s Pulse width, 1% duty cycle
*Power dissipation, mW
*
- Anode positive, R
GA
=1000
;
Anode negative, R
GA
=open
1
2
P
T
300
Electrical Characteristics (T
A
= 25°C)
Parameter, units,
test conditions
Peak current,
μ
A,
V
S
=10V, R
G
=10k
Gate to anode leakage current, nA,
V
S
=40V, cathode open
Gate to cathode leakage current, nA,
V
S
=40V, anode to cathode shorted
Forward voltage, V,
I
F
=50mA Peak
Peak output voltage, V,
V
G
=20V, C
C
=0.2
μ
F
Offset voltage, V
V
S
=10V, R
G
=10k
Valley current,
μ
A,
V
S
=10V, R
G
=10k
Pulse voltage rise time, ns
U
B
=20V, C
C
=0.2
μ
F
Symbol
I
P
Limits
typ
min
max
4
5
I
GAO
1
10
I
GKS
5
50
V
F
0.8
11
0.35
150
40
1.5
V
O
6
V
T
0.2
0.6
I
V
70
t
R
80
1.2 max
3.1 max
1.9
1
0.5 max
3
2
1
Pinouts:
1- Anode, 2- Cathode, 3- Gate
2
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