參數(shù)資料
型號： MMBTA42
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： NPN Silicon Transistor for High Voltages
中文描述： NPN硅晶體管的高電壓
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： MMBTA42
THERMAL DATA
R
thj-amb
Device mounted on a PCB area of 1 cm
2
Thermal Resistance Junction-Ambient Max
357.1
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector-Base
Breakdown Voltage
(I
E
= 0)
V
CB
= 200 V
100
nA
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A
300
V
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 1 mA
300
V
I
E
= 100
μ
A
6
V
I
C
= 20 mA I
B
= 2 mA
0.5
V
I
C
= 20 mA I
B
= 2 mA
0.9
V
I
C
= 1 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA V
CE
= 10 V
I
C
= 30 mA V
CE
= 10 V
25
40
40
f
T
Transition Frequency
I
C
= 10 mA V
CE
= 20 V f = 20 MHz
50
MHz
C
CBO
Collector-Base
Capacitance
Emitter-Base
Capacitance
I
E
= 0 V
CB
= 10 V f = 1 MHz
6
pF
C
EBO
I
C
= 0 V
EB
= 2 V f = 1 MHz
22
pF
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
1.5 %
MMBTA42
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