參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH81
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP RF Transistor(PNP射頻放大器)
中文描述： VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： MMBTH81
M
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
EBO
Emitter Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE(
on
)
Base-Emitter On Voltage
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
V
EB
= 2.0 V, I
C
= 0
20
20
3.0
V
V
V
nA
nA
100
100
I
C
= 5.0 mA, V
CE
= 10 V
I
C
= 5.0 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 5.0 mA, V
CE
= 10 V
60
0.5
0.9
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 5.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
V
CB
= 10 V, I
B
= 0, f = 1.0 MHz
600
MHz
C
cb
C
ce
Collector-Base Capacitance
Collector Emitter Capcitance
0.85
0.65
pF
pF
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
DC Typical Characteristics
Collector Saturation Voltage
vs. Collector Current
DC Current Gain vs.
Collector Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
PNP RF Transistor
(continued)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBTH81_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA101 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA102 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 10/10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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