參數資料
型號: MMBTH81
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP RF Transistor(PNP射頻放大器)
中文描述: VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數: 4/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商: MMBTH81
M
AC Typical Characteristics
Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (f
T
)
Input / Output Capacitance
vs. Reverse Bias Voltage
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
P
D
TO-92
SOT-23
PNP RF Transistor
(continued)
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PDF描述
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參數描述
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MMBTH81_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA101 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA102 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 10/10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2