參數資料
型號： MMBZ18VCL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
中文描述： TVS DIODE, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁數： 3/15頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： MMBZ18VCL
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 September 2008
3 of 15
NXP Semiconductors
MMBZxVCL; MMBZxVDL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
3.
Ordering information
4.
Marking
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
Table 4.
Type number
Ordering information
Package
Name
-
Description
plastic surface-mounted package; 3 leads
Version
SOT23
MMBZ12VDL
MMBZ15VDL
MMBZ18VCL
MMBZ20VCL
MMBZ27VCL
MMBZ33VCL
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL/DG
-
plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
Table 5.
Type number
MMBZ12VDL
MMBZ15VDL
MMBZ18VCL
MMBZ20VCL
MMBZ27VCL
MMBZ33VCL
Marking codes
Marking code
[1]
*MA
*MB
*MC
*MD
*ME
*MF
Type number
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL/DG
Marking code
[1]
TJ*
TL*
TN*
TQ*
TS*
TU*
相關PDF資料
PDF描述
MMBZ20VCL Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
MMBZ33VCL Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
MPT612FBD48 Maximum power point tracking IC
MX0912B251Y NPN microwave power transistor
MX0912B251Y NPN microwave power transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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MMBZ18VCL/DG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
MMBZ18VCL215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
MMBZ18VCLDG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
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