參數(shù)資料
型號(hào)： MMBZ33VCL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
中文描述： TVS DIODE, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
文件大小： 79K
代理商： MMBZ33VCL
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 September 2008
6 of 15
NXP Semiconductors
MMBZxVCL; MMBZxVDL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
7.
Characteristics
Table 10.
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Per diode
V
F
forward voltage
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
V
RWM
reverse standoff
voltage
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
I
RM
reverse leakage current
MMBZ12VDL
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
MMBZ33VCL/DG
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
F
= 10 mA
-
-
0.9
V
I
F
= 10 mA
-
-
0.9
V
I
F
= 10 mA
-
-
0.9
V
I
F
= 10 mA
-
-
0.9
V
I
F
= 200 mA
-
-
1.1
V
I
F
= 10 mA
-
-
0.9
V
-
-
8.5
V
-
-
12.8
V
-
-
14.5
V
-
-
17
V
-
-
22
V
-
-
26
V
V
RWM
= 8.5 V
-
0.1
5
nA
V
RWM
= 12.8 V
-
0.1
5
nA
V
RWM
= 14.5 V
-
0.1
5
nA
V
RWM
= 17 V
-
0.1
5
nA
V
RWM
= 22 V
-
0.1
5
nA
V
RWM
= 26 V
-
0.1
5
nA
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBZ33VCL,215 功能描述:ESD 抑制器 Diode TVS Dual/Singl 26V 40W 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
MMBZ33VCL/DG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
MMBZ33VCL215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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