參數(shù)資料
型號： MMBZ5239ELT3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 9.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： MMBZ5239ELT3G
MMBZ5221ELT1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (TA = 25°C
unless otherwise noted, VF = 0.95 V Max. @ IF = 10 mA)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Pinout: 1-Anode, 2-NC, 3-Cathode) (VF = 0.9 V Max @ IF = 10 mA for all types.)
Device
Marking
Zener Voltage (Note 4)
Zener Impedance
Leakage Current
VZ (V)
@ IZT
ZZT @ IZT
ZZK @ IZK
IR @ VR
Min
Nom
Max
mA
W
mA
V
MMBZ5221ELT1/T3, G
BE2
2.28
2.4
2.52
20
30
1200
0.25
100
1
MMBZ5226ELT1/T3, G
BE7
3.13
3.3
3.47
20
28
1600
0.25
25
1
MMBZ5228ELT1/T3, G
BE9
3.70
3.9
4.10
20
23
1900
0.25
10
1
MMBZ5229ELT1/T3, G
BF1
4.08
4.3
4.52
20
22
2000
0.25
5
1
MMBZ5230ELT1/T3, G
BF2
4.46
4.7
4.94
20
19
1900
0.25
5
2
MMBZ5231ELT1/T3,G
BF3
4.84
5.1
5.36
20
17
1600
0.25
5
2
MMBZ5232ELT1/T3,G
BF4
5.32
5.6
5.88
20
11
1600
0.25
5
3
MMBZ5234ELT1/T3,G
BF6
5.89
6.2
6.51
20
7
1000
0.25
5
4
MMBZ5235ELT1/T3,G
BF7
6.46
6.8
7.14
20
5
750
0.25
3
5
MMBZ5236ELT1/T3, G
BF8
7.12
7.5
7.88
20
6
500
0.25
3
6
MMBZ5237ELT1/T3, G
BF9
7.79
8.2
8.61
20
8
500
0.25
3
6.5
MMBZ5239ELT1/T3, G
BG2
8.65
9.1
9.55
20
10
600
0.25
3
7
MMBZ5240ELT1/T3,G
BG3
9.50
10
10.50
20
17
600
0.25
3
8
MMBZ5242ELT1/T3,G
BG5
11.40
12
12.60
20
30
600
0.25
1
9.1
MMBZ5243ELT1/T3, G
BG6
12.35
13
13.65
9.5
13
600
0.25
0.5
9.9
MMBZ5244ELT1/T3, G
BG7
13.30
14
14.70
9
15
600
0.25
0.1
10
MMBZ5245ELT1/T3,G
BG8
14.25
15
15.75
8.5
16
600
0.25
0.1
11
MMBZ5246ELT1, G
BG9
15.20
16
16.80
7.8
17
600
0.25
0.1
12
MMBZ5248ELT1/T3,G
BH2
17.10
18
18.90
7
21
600
0.25
0.1
14
MMBZ5250ELT1/T3,G
BH4
19.00
20
21.00
6.2
25
600
0.25
0.1
15
4. Zener voltage is measured with a pulse test current IZ at an ambient temperature of 25°C.
*The “G’’ suffix indicates PbFree package available.
MMBZ5246EL, MMBZ5252EL, and MMBZ5265EL Not Available in 10,000/Tape & Reel.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ5255B-G 28 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5221B-G 2.4 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSD4148T3 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MMSZ10ET3G 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ24ET1G 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBZ5239-V 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
MMBZ5239-V-G 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
MMBZ5240B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5240B_D87Z 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 0.35W Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5240B_L99Z 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10V 0.35W Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*