參數(shù)資料
型號： MMDF2C03HD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO8, Dual(2A,30V,SO-8,N/P溝道功率雙MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET 2安培，30伏特互補(bǔ)SO8封裝，雙（第2A，30V的，蘇- 8，N / P系列溝道功率雙MOSFET的）
文件頁數(shù)： 6/10頁
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代理商： MMDF2C03HD
MMDF2C03HD
http://onsemi.com
6
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 7. Capacitance Variation
C
10
0
10
15
25
T
J
= 25
°
C
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
iss
1000
800
600
400
200
0
20
C
iss
C
oss
C
rss
5
5
C
rss
30
1200
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
400
600
800
1200
1000
10
0
10
15
20
30
V
GS
V
DS
5
5
C
rss
T
J
= 25
°
C
200
25
C
iss
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
iss
C
oss
C
rss
0
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
GS
V
DS
NChannel
PChannel
Figure 8. GateToSource and DrainToSource
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
Figure 8. GateToSource and DrainToSource
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
2
4
6
8
I
D
= 3 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
6
3
0
12
9
24
18
12
6
0
V
DS
QT
Q1
Q2
Q3
10
12
t
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
1000
1
100
10
1
V
DD
= 15 V
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
t
d(on)
t
r
t
f
100
10
t
d(off)
24
V
20
16
12
8
4
0
0
10
6
2
0
12
8
4
2
4
6
8
16
I
D
= 2 A
T
J
= 25
°
C
10
12
14
V
DS
V
GS
QT
Q2
Q3
Q1
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
1
10
100
1000
100
10
1
t
V
DD
= 15 V
I
D
= 2 A
V
GS
= 10 V
T
J
= 25
°
C
t
r
t
d(on)
t
f
t
d(off)
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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