參數(shù)資料
型號： MMPQ2369
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Switching Transistor(NPN開關(guān)晶體管)
中文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： MMPQ2369
P
AC Typical Characteristics
(continued)
Test Circuits
0
- 10
V
IN
V
IN
0.1
μ
F
'A'
500
890
0.1
μ
F
1 K
+6V
V
OUT
0
- 4V
10%
V
OUT
t
s
t
off
10%
90%
V
OUT
V
IN
0
V
OUT
10% Pulse waveform
at point ' A'
t
off
V
BB
= 12 V
V
IN
= - 20.9 V
V
IN
V
OUT
10%
90%
V
IN
0
t
on
t
on
V
BB
= - 3.0 V
V
IN
= + 15.25 V
To sampling oscilloscope
input impedance = 50
Rise Time
≤
1 ns
Pulse generator
V
Rise Time
<
1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥
300 ns
Duty Cycle
<
2%
0.0023
μ
F
0.0023
μ
F
0.0023
μ
F
0.0023
μ
F
10
μ
F
10
μ
F
+
+
10 V
11 V
500
91
0.05
μ
F
0.05
μ
F
0.1
μ
F
0.1
μ
F
3.3 K
50
3.3 K
220
50
V
CC
= 3.0 V
V
BB
Pulse generator
V
Rise Time
<
1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥
300 ns
Duty Cycle
<
2%
56
FIGURE 1: Charge Storage Time Measurement Circuit
FIGURE 2: t
ON
, t
OFF
Measurement Circuit
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
SOT-223
SOT-23
TO-92
NPN Switching Transistor
(continued)
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MMPQ2907 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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