參數(shù)資料
型號(hào)： MMSZ9V1ET1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 81K
代理商： MMSZ9V1ET1G
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA)
Device
Marking
VZ1 (V)
(Notes 7 and 8)
ZZT1
(Note 9)
VZ2 (V)
(Notes 7 and 8)
ZZT2
(Note 9)
Max Reverse
Leakage Current
@ IZT1 = 2 mA
@ IZT2 = 0.1 mA
@ IZT2 =
0.5 mA
IR @ VR
Min
Nom
Max
W
Min
Max
W
mA
V
MMSZ27ET1, G
CN8
25.65
27
28.35
80
25
28.9
300
0.05
18.9
MMSZ30ET1
CN9
28.50
30
31.50
80
27.8
32
300
0.05
21
MMSZ33ET1
CP1
31.35
33
34.65
80
30.8
35
325
0.05
23.1
MMSZ36ET1
CP2
34.20
36
37.80
90
33.8
38
350
0.05
25.2
MMSZ39ET1
CP3
37.05
39
40.95
130
36.7
41
350
0.05
27.3
MMSZ43ET1, G
CP4
40.85
43
45.15
150
39.7
46
375
0.05
30.1
MMSZ47ET1
CP5
44.65
47
49.35
170
43.7
50
375
0.05
32.9
MMSZ51ET1
CP6
48.45
51
53.55
180
47.6
54
400
0.05
35.7
MMSZ56ET1
CP7
53.20
56
58.80
200
51.5
60
425
0.05
39.2
7. The type numbers shown have a standard tolerance of
±5% on the nominal Zener Voltage.
8. Tolerance and Voltage Designation: Zener Voltage (VZ) is measured with the Zener Current applied for PW = 1 ms.
9. ZZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The specified limits are for
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC), with the AC frequency = 1 kHz.
Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices. Preferred devices are recommended choices for future use and
best overall value.
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSZ9V1ET3G 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ8V2ET1G 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ22ET3G 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ22ET3 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ27ET3G 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMSZ9V1T1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ9V1T1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ9V1T3 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMT05A230T3 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT05A230T3_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*