參數(shù)資料
型號： MMSZ9V1ET1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MMSZ9V1ET1G
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
6
TYPICAL CHARACTERISTICS
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 7. Typical Capacitance
1000
100
10
1
10
1
BIAS AT
50% OF VZ NOM
0 V BIAS
1 V BIAS
12
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
30
50
70
90
TA = 25°C
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)μ
90
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 8. Typical Leakage Current
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150
°C
+25
°C
55
°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
Figure 9. Zener Voltage versus Zener Current
(VZ Up to 12 V)
Figure 10. Zener Voltage versus Zener Current
(12 V to 91 V)
100
Figure 11. 8
× 20 ms Pulse Waveform
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
020
4060
80
t, TIME (
ms)
tP
tr
PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8
ms
HALF VALUE IRSM/2 @ 20 ms
%
OF
PEAK
PULSE
CURRENT
PEAK VALUE IRSM @ 8 ms
TA = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSZ9V1ET3G 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ8V2ET1G 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ22ET3G 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ22ET3 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ27ET3G 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
MMSZ9V1T1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ9V1T1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ9V1T3 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMT05A230T3 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT05A230T3_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD
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