型號: | MMSZ9V1ET3G |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封裝: | PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 2/7頁 |
文件大?。?/td> | 81K |
代理商: | MMSZ9V1ET3G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMSZ8V2ET1G | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ22ET3G | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ22ET3 | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ27ET3G | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ3V3ET3G | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMSZ9V1T1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMSZ9V1T1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMSZ9V1T3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMT05A230T3 | 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
MMT05A230T3_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |