參數(shù)資料
型號: MMSZ9V1ET3G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝: PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件頁數(shù): 5/7頁
文件大?。?/td> 81K
代理商: MMSZ9V1ET3G
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figure 1. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ2V4T1 SERIES
VZ @ IZT
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
100
10
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 2. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
VZ @ IZT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
0
T, TEMPERATURE (
°C)
Figure 3. Steady State Power Derating
PD versus TA
PD versus TL
P
pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W
A
TTS)
0.1
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 4. Maximum Nonrepetitive Surge Power
1
10
100
1000
100
10
1
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE
Figure 5. Effect of Zener Voltage on
Zener Impedance
10
1
Z ZT
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(
)
Ω
1000
100
10
1
TJ = 25°C
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC)
f = 1 kHz
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Forward Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
1000
100
10
1
75 V (MMSZ5267BT1)
91 V (MMSZ5270BT1)
150
°C
75
°C
25
°C
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ2V4T1 SERIES
0
°C
10
1
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSZ8V2ET1G 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ22ET3G 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ22ET3 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ27ET3G 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ3V3ET3G 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
MMSZ9V1T1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ9V1T1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ9V1T3 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMT05A230T3 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT05A230T3_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD