參數(shù)資料
型號(hào)： MOCD208-M
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： DUAL CHANNEL PHOTOTRANSISTOR
中文描述： 2 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： MOCD208-M
Parameter
EMITTER
Input Forward Voltage
Test Conditions
Symbol
Device
Min
Typ**
Max
Unit
I
F
= 30 mA
V
F
All
—
1.25
1.55
V
Reverse Leakage Current
Capacitance
DETECTOR
V
R
= 6.0 V
I
R
C
All
All
—
—
0.001
18
100
—
μ
A
pF
Collector-Emitter Dark Current
V
CE
= 10 V, T
A
= 25
°
C
V
CE
= 10 V, T
A
= 100
°
C
I
C
= 100
μ
A
I
E
= 100
μ
A
f = 1.0 MHz, V
CE
= 0 V
I
CEO
I
CEO
All
—
1.0
50
nA
All
All
All
All
—
70
7.0
—
100
40
1.0
100
10
7.0
150
—
—
—
—
—
200
125
μ
A
V
V
pF
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Collector-Emitter Capacitance
COUPLED
V
(BR)CEO
V
(BR)ECO
C
CE
I
F
= 10 mA, V
CE
= 5 V
MOCD207
Current Transfer Ratio,
Collector to Emitter
(4)
CTR
MOCD208
MOCD207
MOCD208
All
All
All
All
All
All
I
F
= 1 mA, V
CE
= 5 V
34
13
—
—
—
—
—
—
—
—
3.0
2.8
1.6
2.2
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
%
Collector-Emitter Saturation Voltage
Turn-On Time
Turn-Off Time
Rise Time
Fall Time
Isolation Surge Voltage
(1,2)
Isolation Resistance
(2)
I
C
= 2.0 mA, I
F
= 10 mA
I
C
= 2.0 mA, V
CC
= 10 V, R
L
= 100
I
C
= 2.0 mA, V
CC
= 10 V, R
L
= 100
I
C
= 2.0 mA, V
CC
= 10 V, R
L
= 100
I
C
= 2.0 mA, V
CC
= 10 V, R
L
= 100
f = 60 Hz, t = 1 min.
V
CE (sat)
t
on
t
off
t
r
t
f
V
ISO
R
ISO
C
ISO
V
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
2500
10
11
Vac(rms)
V
I-O
= 500 V
V
I-O
= 0 V, f = 1 MHz
All
All
—
—
!
Isolation Capacitance
(2)
—
0.2
—
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise specified)
(3)
NOTE:
1. Input-Output Isolation Voltage, V
ISO
, is an internal device dielectric breakdown rating.
2. For this test, Pins 1, 2, 3 and 4 are common and Pins 5, 6, 7 and 8 are common.
3. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).
4. Current Transfer Ratio (CTR) = I
C
/I
F
x 100%.
www.fairchildsemi.com
2 OF 6
12/19/01
DS300270
** Typical values at T
A
= 25
°
C
MOCD207M
MOCD208M
DUAL CHANNEL PHOTOTRANSISTOR
SMALL OUTLINE SURFACE MOUNT
OPTOCOUPLERS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MOCD207 DUAL CHANNEL PHOTOTRANSISTOR
MOCD208M DUAL CHANNEL PHOTOTRANSISTOR
MOCD207M DUAL CHANNEL PHOTOTRANSISTOR
MODEL 5B35 Linearized 4-Wire RTD Input Module(線性化四線RTD輸入模塊)
MODEL 5B36 Potentiometer RTD Input Module(電位測(cè)試功能的RTD輸入模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MOCD208M_Q 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-8 DUAL CH PHOTO RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
MOCD208R1M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 8-Pin Optocoupler 2Ch Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
MOCD208R1VM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 2Ch Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
MOCD208R2M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 8-Pin Optocoupler 2Ch Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
MOCD208R2VM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 8-Pin Optocoupler 2Ch Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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