參數(shù)資料
型號(hào)： MPC8568VTAUJJ
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 46/139頁
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描述： MPU POWERQUICC III 1023-PBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 24
系列： MPC85xx
處理器類型： 32-位 MPC85xx PowerQUICC III
速度： 1.333GHz
電壓： 1.1V
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 1023-BBGA，F(xiàn)CBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 1023-FCPBGA（33x33）
包裝： 托盤
MPC8568E/MPC8567E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 1
14
Freescale Semiconductor
Power Characteristics
NOTE
Items on the same line have no ordering requirement with respect to one
another. Items on separate lines must be ordered sequentially such that
voltage rails on a previous step must reach 90% of their value before the
voltage rails on the current step reach 10% of theirs.
In order to guarantee MCKE low during power-up, the above sequencing for
GVDD is required. If there is no concern about any of the DDR signals
being in an indeterminate state during power-up, then the sequencing for
GVDD is not required.
3
Power Characteristics
The power dissipation of VDD for various core complex bus (CCB) versus the core and QE frequency for
MPC8568E is shown in Table 5. Note that this is based on the design estimate only. More accurate power
number will be available after we have done the measurement on the silicon.
Table 5. MPC8568E Power Dissipation
CCB Frequency
Core Frequency
QE Frequency
Typical 65
°C Typical 105°C
Maximum
Unit
400
800
400
8.7
12.0
13.0
W
400
1000
400
8.9
12.3
13.6
W
400
1200
400
11.3
15.7
16.9
W
533
1333
533
12.4
17.2
18.7
W
Notes:
1. CCB Frequency is the SoC platform frequency which corresponds to DDR data rate.
2. Typical 65
°C based on VDD=1.1V, Tj=65.
3. Typical 105
°C based on VDD=1.1V, Tj=105.
4. Maximum based on VDD=1.1V, Tj=105.
Table 6. Typical MPC8568E I/O Power Dissipation
Interface
Parameters
GVDD
BVDD
OVDD
LVDD
TVDD
XVDD Unit
Comment
2.5 V
1.8 V 3.3 V 2.5 V
3.3 V
2.5 V
3.3 V
2.5 V
DDR/DDR2
333 MHz
0.76
0.50
W
Data rate
64-bit with
ECC
60% utilization
400 MHz
0.56
W
533 MHz
0.68
W
Local Bus
33 MHz, 32b
0.07
0.04
W
—
66 MHz, 32b
0.13
0.07
W
—
133 MHz, 32b
0.24
0.14
W
—
PCI
33 MHz
0.04
W
—
66 MHz
0.07
W
—
SRIO
4x, 3.125G
0.49
W
—
PCI Express
8x, 2.5G
0.71
W
—
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPC8547EVTATGB MPU POWERQUICC III 783-PBGA
IDT71T75802S166PFGI8 IC SRAM 18MBIT 166MHZ 100TQFP
AMC17DTEH CONN EDGECARD 34POS .100 EYELET
FMC40DRYI-S13 CONN EDGECARD 80POS .100 EXTEND
ABB105DHBN CONN EDGECARD 210PS R/A .050 SLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPC8569CVTANKGB 功能描述:數(shù)字信號(hào)處理器和控制器 - DSP, DSC 8569 XT 800/600/400 r2.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時(shí)器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MPC8569CVTAQLJB 功能描述:數(shù)字信號(hào)處理器和控制器 - DSP, DSC 8569 XT 1067/667/533 r2.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時(shí)器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MPC8569ECVTANKGB 功能描述:數(shù)字信號(hào)處理器和控制器 - DSP, DSC 8569E XT 800/600/400 r2.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時(shí)器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MPC8569ECVTAQLJB 功能描述:數(shù)字信號(hào)處理器和控制器 - DSP, DSC 8569E XT1067/667/533 r2.1 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 核心:dsPIC 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:2 KB 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 可編程輸入/輸出端數(shù)量:35 定時(shí)器數(shù)量:3 設(shè)備每秒兆指令數(shù):50 MIPs 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-44 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MPC8569E-MDS-PB 功能描述:開發(fā)板和工具包 - 其他處理器 MPC8569 MDS PROCESSOR BD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 產(chǎn)品:Development Systems 工具用于評(píng)估:P3041 核心:e500mc 接口類型:I2C, SPI, USB 工作電源電壓:
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