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參數(shù)資料
| 型號： | MPS2907 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨（通用晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | MPS2907 |
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE
VCE = 10 Vdc, TA = 25
°
C
Figure 7. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
10
0.01
Figure 8. Source Resistance Effects
Rs, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
N
N
f = 1.0 kHz
IC = –50
μ
A
–100
μ
A
–500
μ
A
–1.0 mA
Rs = OPTIMUM SOURCE RESISTANCE
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
IC = –1.0 mA, Rs = 430
–500
μ
A, Rs = 560
–50
μ
A, Rs = 2.7 k
–100
μ
A, Rs = 1.6 k
Figure 9. Capacitances
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30
Figure 10. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
C
–0.1
2.0
Figure 11. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–1.0
Figure 12. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = –10 V
RVC for VCE(sat)
f
C
°
C
20
10
7.0
5.0
3.0
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
400
300
200
100
80
60
40
30
20
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
–500
+0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200 –500
Ceb
Ccb
VCE = –20 V
TJ = 25
°
C
RVB for VBE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2907A | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
| MPS2907ARLRA | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| MPS2907ARLRE | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| MPS2907ARLRM | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| MPS2907ARLRP | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS2907A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2907A\E6 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT REORD 511-PN2907A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2907A_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MPS2907AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2907AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
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