型號: | MPS2907 |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
中文描述: | 進步黨(通用晶體管) |
文件頁數: | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 245K |
代理商: | MPS2907 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MPS2907A | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
MPS2907ARLRA | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
MPS2907ARLRE | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
MPS2907ARLRM | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
MPS2907ARLRP | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MPS2907A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS2907A\E6 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT REORD 511-PN2907A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS2907A_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
MPS2907AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS2907AG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |