參數(shù)資料
型號(hào)： MPS3563
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Amplifier Transistors(NPN Silicon)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： MPS3563
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain(2)
(IC = 3.0 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 8.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
MPS918
MPS3563
hFE
20
20
—
200
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
MPS918
VCE(sat)
—
0.4
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product(2)
(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
(IC = 8.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
MPS918
VBE(sat)
—
1.0
Vdc
MPS918
MPS3563
fT
600
600
—
1500
MHz
Output Capacitance
(VCB = 0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Input Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
MPS918
MPS918
MPS3563
Cobo
—
—
—
3.0
1.7
1.7
pF
MPS918
Cibo
—
2.0
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 8.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
MPS3563
hfe
20
250
—
Noise Figure
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 6.0 Vdc, RS = 400 k
, f = 60 MHz)
FUNCTIONAL TEST
MPS918
NF
—
6.0
dB
Common–Emitter Amplifier Power Gain
(IC = 6.0 mAdc, VCB = 12 Vdc, f = 200 MHz)
(IC = 8.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 200 MHz)
(Gfd + Gre
–20 dB)
Power Output
(IC = 8.0 mAdc, VCB = 15 Vdc, f = 500 MHz)
MPS918
MPS3563
Gpe
15
14
—
—
dB
MPS918
Pout
30
—
mW
Oscillator Collector Efficiency
(IC = 8.0 mAdc, VCB = 15 Vdc, Pout = 30 mW, f = 500 MHz)
MPS918
η
25
—
%
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
1.0%.
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MPS3563G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS3563RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS3563RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 12V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS3565C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN TRANSISTOR
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