參數(shù)資料
型號： MPS6560
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (AUDIO TRANSISTOR)
中文描述： npn型（音頻晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 69K
代理商： MPS6560
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
25
Vdc
Collector–Base Voltage
25
Vdc
Emitter–Base Voltage
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
RJA(1)
RJC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
°
C/mW
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(2)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
25
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
25
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ICES
—
100
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 20 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB(off) = 4.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
1. RJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
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by MPS6560/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MPS6571 Amplifier Transistor
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MPS6602 NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
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參數(shù)描述
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MPS6561 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6562 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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