參數(shù)資料
型號(hào): MPS6560
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: NPN (AUDIO TRANSISTOR)
中文描述: npn型(音頻晶體管)
文件頁數(shù): 2/4頁
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代理商: MPS6560
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS(2)
Symbol
Min
Max
Unit
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
hFE
35
50
50
200
VCE(sat)
0.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(on)
1.2
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz)
fT
60
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
30
pF
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
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PDF描述
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MPS6571 Amplifier Transistor
MPS6601 Amplifier Transistors
MPS6601 NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MPS6602 NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
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參數(shù)描述
MPS6560G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6561 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6562 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6562 D75Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
MPS6562_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier