型號(hào): | MPS6560 |
廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | NPN (AUDIO TRANSISTOR) |
中文描述: | npn型(音頻晶體管) |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 69K |
代理商: | MPS6560 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MPS6560 | Audio Transistor(NPN Silicon) |
MPS6571 | Amplifier Transistor |
MPS6601 | Amplifier Transistors |
MPS6601 | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
MPS6602 | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MPS6560G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6561 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6562 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MPS6562 D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Ammo |
MPS6562_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |