參數(shù)資料
型號： MPS6651
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
中文描述： 進(jìn)步黨（放大器晶體管）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： MPS6651
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. MPS6601/6602 DC Current Gain
Figure 3. MPS6651/6652 DC Current Gain
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
Figure 5. Current Gain Bandwidth Product
Figure 6. On Voltages
Figure 7. On Voltages
100
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–100
–1000
–10
200
100
70
50
20
100
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–100
–1000
–10
300
200
100
70
50
30
–200
200
10
1000
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–10
–1000
–1.0
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–100
100
TJ = 25
°
C
TJ = 25
°
C
VCE = 1.0 V
TJ = 25
°
C
VCE = –1.0 V
TJ = 25
°
C
VCE = 10 V
TJ = 25
°
C
f = 30 MHz
VCE = –10 V
TJ = 25
°
C
f = 30 MHz
f
V
V
NPN
PNP
VBE(SAT) @ IC/IB = 10
VCE(SAT) @ IC/IB = 10
VBE(ON) @ VCE = 1.0 V
VBE(SAT) @ IC/IB = 10
VCE(SAT) @ IC/IB = 10
VBE(ON) @ VCE = –1.0 V
f
F
h
h
F
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PDF描述
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MPS6602 Amplifier Transistors
MPS6651 Amplifier Transistors
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參數(shù)描述
MPS6651G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH CRNT AMP TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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