參數(shù)資料
型號： MPS6651
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
中文描述： 進步黨（放大器晶體管）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： MPS6651
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 14. Base–Emitter Temperature
Coefficient
Figure 15. Base–Emitter Temperature
Coefficient
Figure 16. Safe Operating Area
Figure 17. Safe Operating Area
Figure 18. MPS6601/6602 Saturation Region
Figure 19. MPS6651/6652 Saturation Region
100
1000
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–100
–1000
–1.0
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
10
1.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE
500
200
100
50
20
10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE
–10
–40
–1.0
–500
–200
–100
–50
–20
–10
–20
20
0.1
10
0.01
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IB, BASE CURRENT (mA)
–0.1
–100
–0.01
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–1.0
1.0
TJ = 25
°
C
R
I
NPN
PNP
10
RVB for VBE
°
R
°
–10
–0.8
RVB for VBE
–2.0
–5.0
–1 k
2.0
5.0
40
1 k
I
–10
100
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
250 mA
IC =
500 mA
IC =
1000 mA
IC =
10 mA
TJ = 25
°
C
IC =
–100 mA
IC =
–50 mA
IC =
–250 mA
IC =
–500 mA
IC =
–1000 mA
IC =
–10 mA
1.0 MS
1.0 s
TC = 25
°
C
MPS6601
MPS6602
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
1.0 MS
1.0 s
TC = 25
°
C
MPS6651
MPS6652
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
,
V
,
V
相關PDF資料
PDF描述
MPS6601 Amplifier Transistors
MPS6602 Amplifier Transistors
MPS6651 Amplifier Transistors
MPS6652 Amplifier Transistors
MPS6602 Amplifier Transistors
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MPS6652 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH CRNT AMP TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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