參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6651
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： MPS6651
7
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
IS UNCONTROLLED.
4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.
DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND K
MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED
IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
R
A
P
J
L
F
B
K
G
H
V
SECTION X–X
C
D
N
N
X X
SEATING
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
MIN
0.175
0.170
0.125
0.016
0.016
0.045
0.095
0.015
0.500
0.250
0.080
–––
0.115
0.135
MAX
0.205
0.210
0.165
0.022
0.019
0.055
0.105
0.020
–––
–––
0.105
0.100
–––
–––
MIN
4.45
4.32
3.18
0.41
0.41
1.15
2.42
0.39
12.70
6.35
2.04
–––
2.93
3.43
MAX
5.20
5.33
4.19
0.55
0.48
1.39
2.66
0.50
–––
–––
2.66
2.54
–––
–––
MILLIMETERS
INCHES
1
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
BASE
COLLECTOR
2.
3.
CASE 029–04
(TO–226AA)
ISSUE AD
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PDF描述
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MPS6652 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH CRNT AMP TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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