參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6714
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： MPS6714
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
MPS6714
MPS6715
VCEO
30
40
Vdc
Collector–Base Voltage
MPS6714
MPS6715
VCBO
40
50
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
IC
PD
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
1.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
MPS6714
MPS6715
V(BR)CEO
30
40
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
MPS6714
MPS6715
V(BR)CBO
40
50
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 100 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
(VCB = 50 Vdc, IE = 0)
MPS6714
MPS6715
ICBO
—
—
0.1
0.1
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
0.1
μ
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
30 s; Duty Cycle
2.0%.
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by MPS6714/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6715 One Watt Amplifier Transistors
MPS6717 One Watt Amplifier Transistor
MPS6717 One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon)
MPS6717RLRA One Watt Amplifier Transistor
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參數(shù)描述
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MPS6717 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6717G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6717RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6717RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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