參數(shù)資料
型號: MPS6717
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon)
中文描述: 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: CASE 29-05, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 101K
代理商: MPS6717
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
80
Vdc
Collector–Base Voltage
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
500
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
80
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 100 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
80
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
5.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
ICBO
0.1
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
10
μ
Adc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
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by MPS6717/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6717RLRA One Watt Amplifier Transistor
MPS6724 One Watt Darlington Transistors
MPS6724 One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
MPS6725 One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
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參數(shù)描述
MPS6717G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6717RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6717RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6724 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPS6724G 功能描述:達林頓晶體管 1A 40V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel