參數(shù)資料
型號： MPS6725
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-05, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： MPS6725
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS6724
MPS6725
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
40
50
Vdc
Collector–Base Voltage
50
60
Vdc
Emitter–Base Voltage
12
Vdc
Collector Current — Continuous
1000
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
MPS6724
MPS6725
V(BR)CES
40
50
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 1.0 Adc, IE = 0)
MPS6724
MPS6725
V(BR)CBO
50
60
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
12
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
MPS6724
MPS6725
ICBO
—
—
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2.0%.
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by MPS6724/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
1
23
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
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PDF描述
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MPS6726 One Watt Amplifier Transistor
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參數(shù)描述
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MPS6725RLRP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPS6725RLRPG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPS6726 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6726_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
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