參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6725
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-05, TO-226AE, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 233K
代理商： MPS6725
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Figure 6. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 7. High Frequency Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (
μ
A)
2.0
200 k
5.0
0.04
4.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25
°
C
C
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.5
|
h
V
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
Cibo
Cobo
0.5
1.0
2.0
0.5
10
20
50
100
200
500
VCE = 5.0 V
f = 100 MHz
TJ = 25
°
C
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 5.0 V
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
TJ = 25
°
C
IC = 10 mA
50 mA
250 mA
500 mA
Figure 10. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.6
5.0
–1.0
V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
7.0
10
20
30
50
70 100 200 300
500
VBE(sat) @ IC/IB = 1000
R
θ
°
TJ = 25
°
C
VBE(on) @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 1000
–2.0
–3.0
–4.0
–5.0
–6.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
200
300
500
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*RVC FOR VCE(sat)
VB FOR VBE
25
°
C TO 125
°
C
–55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR IC/IB
≤
hFE/3.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6725 One Watt Darlington Transistors
MPS6726 One Watt Amplifier Transistor
MPS6726 One Watt Amplifier Transistor(PNP Silicon)
MPS6727 One Watt Amplifier Transistor(PNP Silicon)
MPS6727 One Watt Amplifier Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6725G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPS6725RLRP 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPS6725RLRPG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPS6726 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6726_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*