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參數(shù)資料
| 型號： | MR80C32E-16P883 |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, 16 MHz, MICROCONTROLLER, CQCC44 |
| 封裝： | LCC-44 |
| 文件頁數(shù)： | 88/176頁 |
| 文件大?。?/td> | 2962K |
| 代理商： | MR80C32E-16P883 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁當前第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁
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2535J–AVR–08/10
ATtiny13
The next code examples show assembly and C functions for reading the EEPROM. The exam-
ples assume that interrupts are controlled so that no interrupts will occur during execution of
these functions.
5.3.6
Preventing EEPROM Corruption
During periods of low VCC, the EEPROM data can be corrupted because the supply voltage is
too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the same as for
board level systems using EEPROM, and the same design solutions should be applied.
An EEPROM data corruption can be caused by two situations when the voltage is too low. First,
a regular write sequence to the EEPROM requires a minimum voltage to operate correctly. Sec-
ondly, the CPU itself can execute instructions incorrectly, if the supply voltage is too low.
EEPROM data corruption can easily be avoided by following this design recommendation:
Keep the AVR RESET active (low) during periods of insufficient power supply voltage. This can
be done by enabling the internal Brown-out Detector (BOD). If the detection level of the internal
BOD does not match the needed detection level, an external low VCC reset protection circuit can
be used. If a reset occurs while a write operation is in progress, the write operation will be com-
pleted provided that the power supply voltage is sufficient.
Assembly Code Example
EEPROM_read:
; Wait for completion of previous write
sbic
EECR,EEPE
rjmp
EEPROM_read
; Set up address (r17) in address register
out
EEARL, r17
; Start eeprom read by writing EERE
sbi
EECR,EERE
; Read data from data register
in
r16,EEDR
ret
C Code Example
unsigned char
EEPROM_read(unsigned char ucAddress)
{
/* Wait for completion of previous write */
while(EECR & (1<<EEPE))
;
/* Set up address register */
EEARL = ucAddress;
/* Start eeprom read by writing EERE */
EECR |= (1<<EERE);
/* Return data from data register */
return EEDR;
}
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PDF描述 |
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