參數(shù)資料
型號(hào)： MRF187S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF MOSFET(射頻MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 465A-06, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 180K
代理商： MRF187S
MRF187 MRF187S
2
MOTOROLA WIRELESS SEMICONDUCTOR
SOLUTIONS – RF AND IF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0 Vdc, ID = 50
μ
Adc)
V(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0)
IDSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 20 Vdc, VDS = 0 )
IGSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 26 Vdc, ID = 550 mAdc)
VGS(Q)
3
—
5
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(VGS = 10 Vdc, ID = 3 Adc)
VDS(on)
—
0.40
0.55
Vdc
Forward Transconductance
(VDS = 10 Vdc, ID = 5 Adc)
gfs
—
2
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance (Includes Internal Input MOScap)
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Ciss
—
295
—
pF
Output Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Coss
—
85
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 26 Vdc, VGS = 0, f = 1 MHz)
Crss
—
10
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
Gps
12
13
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
η
D
30
33
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
IMD
—
–31
–28
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 880.0 MHz, f2 = 880.1 MHz)
IRL
9
15
—
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz and f1 = 895.0 MHz, f2 = 895.1 MHz)
Gps
—
13
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz and f1 = 895.0 MHz, f2 = 895.1 MHz)
η
D
—
33
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz and f1 = 895.0 MHz, f2 = 895.1 MHz)
IMD
—
–31
—
dBc
Input Return Loss
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W PEP, IDQ = 550 mA,
f1 = 865.0 MHz, f2 = 865.1 MHz and f1 = 895.0 MHz, f2 = 895.1 MHz)
IRL
—
12
—
dB
Output Mismatch Stress
(VDD = 26 Vdc, Pout = 85 W CW, IDQ = 550 mA,
f = 880 MHz, VSWR = 5:1, All Phase Angles at Frequency of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF187 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF187R3 ER 16 16S D/C PLAS
MRF187SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19030 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19030R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF19030 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-391VAR
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MRF19030LR5 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF19030LSR3 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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