參數(shù)資料
型號(hào)： MRF187S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF MOSFET(射頻MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 465A-06, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 180K
代理商： MRF187S
MRF187 MRF187S
4
MOTOROLA WIRELESS SEMICONDUCTOR
SOLUTIONS – RF AND IF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
,
Gp
,
Gp
I
Figure 2. Class AB Broadband Circuit Performance
f, FREQUENCY (MHz)
5
0
865
875
15
Figure 3. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
–70
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
–10
–50
870
890
–30
0.1
–40
Figure 4. Class AB Parameters
versus Input Power
Pin, INPUT POWER (WATTS)
0
Figure 5. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
3.5
Figure 6. Intermodulation Distortion
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
1.0
0
0.1
–30
–10
I
VDD = 26 V
IDQ = 550 mA, Pout = 85 WATTS (PEP)
TWO–TONE MEASUREMENT, 100 kHz TONE SPACING
40
40
80
120
1.0
–5
–15
–30
10
25
20
10
–50
880
885
1.0
100
5.5
2.0
900 mA
250 mA
1300 mA
10
0.1
–40
–60
895
1.0
100
400 mA
30
35
–35
0
–10
–25
–20
IRL
Gps
IMD
–60
–40
–20
3rd Order
5th Order
7th Order
VDD = 26 V
IDQ = 550 mA
f = 880 MHz
TWO–TONE MEASUREMENT,
100 kHz TONE SPACING
0
16
10
4
2
12
6
8
14
4.5
0.5
1.5
2.5
4.0
5.0
3.0
160
20
60
100
140
Pout
VDD = 26 V
IDQ = 550 mA
f = 880 MHz
TWO–TONE MEASUREMENT,
100 kHz TONE SPACING
700 mA
1100 mA
10
17
12
14
11
13
15
16
1300 mA
1100 mA
900 mA
700 mA
550 mA
550 mA
400 mA
250 mA
–20
I
I
,
Po
,
η
D
VDD = 26 V
f = 880 MHz
TWO–TONE MEASUREMENT,
100 kHz TONE SPACING
VDD = 26 V
f = 880 MHz
TWO–TONE MEASUREMENT,
100 kHz TONE SPACING
,
η
D
Gp
η
D
η
D
Gps
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF187 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF187R3 ER 16 16S D/C PLAS
MRF187SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19030 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19030R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF187SR3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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