參數(shù)資料
型號(hào)： MRF19030
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 465E-03, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 390K
代理商： MRF19030
MRF19030R3 MRF19030SR3
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0 Vdc, I
D
= 20
μ
A)
V
(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 100
μ
Adc)
V
GS(th)
2
3
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 300 mA)
V
GS(Q)
2
3.3
4.5
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
V
DS(on)
—
0.29
0.4
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 1 Adc)
g
fs
—
2
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance (Including Input Matching Capacitor in Package) (1)
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
iss
—
98.5
—
pF
Output Capacitance (1)
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
oss
—
37
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
rss
—
1.3
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
G
ps
—
13
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
η
—
36
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
IMD
—
–31
—
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA,
f1 = 1960.0 MHz, f2 = 1960.1 MHz)
IRL
—
–13
—
dB
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
G
ps
12
13
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
η
33
36
—
%
3rd Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
IMD
—
–31
–28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W PEP, I
DQ
= 300 mA, f1 = 1930.0 MHz,
f2 = 1930.1 MHz and f1 = 1990.0 MHz, f2 = 1990.1 MHz)
IRL
—
–13
–9
dB
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 30 W CW, I
DQ
= 300 mA,
f = 1930 MHz, VSWR = 10:1, All Phase Angles at Frequency of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
(1) Part is internally matched both on input and output.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF19030R3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19030SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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MRF19030LSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF19030R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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