參數(shù)資料
型號： MRF19030LR3
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-400, CASE 465E-04, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 390K
代理商： MRF19030LR3
1
MRF19030R3 MRF19030SR3
Motorola, Inc. 2002
The RF MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for class AB PCN and PCS base station applications with
frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and
multicarrier amplifier applications.
CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts
IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13
885 kHz — –47 dBc @ 30 kHz BW
1.25 MHz — –55 dBc @ 12.5 kHz BW
2.25 MHz — –55 dBc @ 1 MHz BW
Output Power — 4.5 Watts Avg.
Power Gain — 13.5 dB
Efficiency — 17%
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
High Gain, High Efficiency and High Linearity
Integrated ESD Protection
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW
Output Power
Excellent Thermal Stability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
–0.5, +15
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
83.3
0.48
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
–65 to +200
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS
Test Conditions
Class
Human Body Model
2 (Minimum)
Machine Model
M3 (Minimum)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
2.1
°
C/W
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
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by MRF19030/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2.0 GHz, 30 W, 26 V
LATERAL N–CHANNEL
RF POWER MOSFETs
CASE 465E–03, STYLE 1
NI–400
MRF19030R3
CASE 465F–03, STYLE 1
NI–400S
MRF19030SR3
REV 7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF19030LSR3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19045SR3 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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MRF19045LR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF19030R3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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